隨著(zhù)電子工業(yè)的飛速發(fā)展，集成度迅速從16K比特發(fā)展到265K比特，又飛躍到64M比特，目前發(fā)達國家已實(shí)現了64M比特超大規模集成電路（VLSl）的工業(yè)化生產(chǎn)，線(xiàn)徑0.3μm。集成度的提高、元件的小型、扁平化均對EMC提出了更高的要求。

 

    （1）樹(shù)脂純度的提高  IC中的鋁電極極易受到樹(shù)脂中的Na⁺、Cl^-的腐蝕，因此必須嚴加控制，進(jìn)一步提高環(huán)氧樹(shù)脂凈化技術(shù)。目前已使高純度的鄰甲酚甲醛樹(shù)脂實(shí)現了工業(yè)化生產(chǎn)Na⁺含量＜1×10^-6，Cl^-＜1×10^-6，可水解氯＜350×10^-6；超高純度的樹(shù)脂正在創(chuàng )造條件進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)階段Na⁺、Cl^-含量同前，可水解氯量進(jìn)一步下降＜150×10^-6。

 

    （2）封裝料可靠性的提高   其關(guān)鍵技術(shù)是實(shí)現低應力化，封裝后的IC在經(jīng)受?chē)栏竦睦?、熱沖擊，高壓水蒸煮的試驗時(shí)，致使封裝失敗的原因是內應力引起的封裝料和元件界面發(fā)生開(kāi)裂。所以在實(shí)現封裝料的低應力化時(shí)，只有采取降低線(xiàn)膨脹系數和降低彈性率，降低線(xiàn)膨脹系數的最好方法是在封裝料中使用高填充量的二氧化硅。據研究，當填料量應達到60%～70%（體積分數），甚至更高，線(xiàn)膨脹系數可低達1.0×10^-5/℃，固化收縮幾乎是零。高填充量會(huì )使模塑料的熔融流動(dòng)性變差，對策是使用平均粒度為6～8μm球型熔融二氧化硅。

 

    樹(shù)脂的低彈性率的對策：①鄰甲酚甲醛環(huán)氧樹(shù)脂和硅橡膠、丁腈橡膠共混形成海島結構；②環(huán)氧樹(shù)脂自身結構的變化，例如部分長(cháng)鏈烷基代替原樹(shù)脂中的次甲基。此外，提高樹(shù)脂耐水性的方法是：在樹(shù)脂結構中引入萘、對環(huán)戊二烯和氟元素，使高壓蒸煮后的材料吸水率下降25%以上。

 

    由于電子、電氣工業(yè)迅速發(fā)展，技術(shù)更新十分迅速，為其配套的環(huán)氧樹(shù)脂材料也隨之發(fā)展，是技術(shù)更新比較快的領(lǐng)域。

 

    目前，印刷線(xiàn)路板發(fā)展的趨勢是提高耐熱性、多層化、高密度化。對于電子元器件的小型化、薄形化，必須解決吸濕性、耐熱性的問(wèn)題，同時(shí)要求提高耐銅遷移性能。另外，隨著(zhù)計算機演算的高速化，提高材料的介電常數和降低介電損耗也是十分重要的。為了解決上述一系列問(wèn)題，阻燃型環(huán)氧樹(shù)脂材料開(kāi)始從TB-BA型（四溴雙酚A型）向具有特殊結構的樹(shù)脂過(guò)渡。

 

    在半導體包封領(lǐng)域，伴隨著(zhù)表面實(shí)裝化的擴大，為了抑制包封材料的開(kāi)裂，對材料提出了耐熱沖擊性、耐焊錫反流性以及低膨脹系數等課題。從提高生產(chǎn)性的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，期望開(kāi)發(fā)適應于無(wú)管殼化的環(huán)氧樹(shù)脂材料。